Ver la fonte de Transistor

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{{Correxir}}
{{referencies adicionales|t=20151031142847}}
{{Construcción}}

El '''transistor''' ye un [[Componente electrónicu|dispositivu electrónicu]] [[semiconductor]] utilizáu p'apurrir una señal de salida en respuesta a una señal d'entrada.<ref>{{Google books|SghjkM6MwygC|page=1166}}</ref>Cumple funciones d'[[amplificador]], [[oscilador]], [[Conmutador (dispositivu)|conmutador]] o [[rectificador]]. El términu «transistor» ye la contraición n'[[idioma inglés|inglés]] de ''transfer resistor'' («[[resistor]] de tresferencia»). Anguaño atópense práuticamente en tolos [[Aparatu electrónicu|aparatos electrónicos]] d'usu diariu: [[Radio (receptor)|radios]], [[televisión|televisiones]], [[Reproductor multimedia dixital|reproductores d'audiu y video]], [[Reló de cuarzo|reloj de cuarzu]], [[ordenador|ordenadores]], [[llámpara fluorescente compacta|llámpares fluorescentes]], [[tomografía|tomógrafo]], [[telefonía móvil|teléfonos móviles]], ente otros.

== Historia ==
{{AP|Hestoria del transistor}}
El transistor bipolar foi inventáu nos [[Llaboratorios Bell]] d'[[Estaos Xuníos]] n'avientu de 1947 por [[John Bardeen]], [[Walter Houser Brattain]] y [[William Bradford Shockley]], quien fueron gallardoniaos col [[Premiu Nobel]] de [[Física]] en 1956. Foi'l sustitutu de la [[válvula termoiónica]] de tres electrodos, o [[triodu]].

El [[transistor d'efeutu campu]] foi patentáu primero que'l transistor BJT (en 1930), pero nun se disponía de la teunoloxía necesaria pa fabricalos masivamente. 

Ye por ello que de primeres s'usaron transistores bipolares y depués los denominaos transistores d'efeutu de campu (FET). Nos postreros, la [[corriente llétrica|corriente]] ente'l surtidor o fonte (source) y el drenaxe (drain) controlar por aciu el campu llétricu establecíu na canal. A lo último, apaeció'l MOSFET (transistor FET de tipu Metal-Óxidu-Semiconductor). Los MOSFET dexaron un diseñu desaxeradamente compactu, necesariu pa los circuitos altamente integraos (CI).

Güei la mayoría de los [[circuitu|circuitos]] construyir con teunoloxía CMOS. La teunoloxía CMOS (Complementary MOS ó MOS Complementariu) ye un diseñu con dos distintos MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementen mutuamente y peracaben bien poca corriente nun funcionamientu ensin [[carga llétrica|carga]].

El transistor consta d'un sustratu (usualmente [[siliciu]]) y trés partes dopadas artificialmente (contaminaes con materiales específicos en cantidaes específiques) que formen dos uniones bipolares, l'emisor qu'emite [[Portador de carga portadores]], el colector que los recibe o gueta y la tercera, que ta entrepolada ente les dos primeres, modula el pasu de dichos portadores (base). A diferencia de les válvules, el transistor ye un dispositivu controláu por corriente y del que se llogra corriente amplificada. Nel diseñu de circuitos a los transistores considérase-yos un elementu activu, a diferencia de los [[resistor]]es, [[Condensador llétricu|condensadores]] y [[inductor]]es que son elementos pasivos. El so funcionamientu namái puede esplicase por aciu [[mecánica cuántica]].

De manera simplificada, la corriente que circula pol ''colector'' ye función amplificada de la que s'inyecta nel ''emisor'', pero'l transistor namái gradúa la corriente que circula al traviés de sigo mesmu, si dende una fonte de corriente continua aliméntase la ''base'' por que circule la carga pol ''colector'', según el tipu de circuitu que s'utilice. El factor d'amplificación o ganancia llográu ente corriente de colector y corriente de base, denominar Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipu de transistor son: Tensiones de rotura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabayu, y delles tables onde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente d'Emisor, etc. Los trés tipos d'esquemes(configuraciones) básicos pa usu analóxicu de los transistores son emisor común, colector común y base común.

Modelos posteriores al transistor descritu, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) nun utilicen la corriente que s'inyecta nel terminal de ''base'' pa modular la corriente d'emisor o colector, sinón la tensión presente nel terminal de puerta o rexa de control (graduador) y gradúa la conductancia de la canal ente los terminales de Fonte y Drenaxe. Cuando la conductancia ye nula y la canal alcuéntrase esgañáu, por efeutu de la tensión aplicao ente Compuerta y Fonte, ye'l campu llétricu presente na canal el responsable d'impulsar los electrones dende la fonte al drenaxe. D'esta miente, la corriente de salida na carga coneutada al Drenaxe (D) va ser función amplificada de la Tensión presente ente la Compuerta (Gate) y Fonte (Source). El so funcionamientu ye análogu al del [[triodu]], cola salvedá que nel triodu los equivalentes a Compuerta, Drenador y Fonte son Rexa (o Alluna Control), Placa y Cátodu.

Los transistores d'efeutu de campu son los que dexaron la integración a gran escala disponible anguaño; pa tener una idea averada pueden fabricase dellos cientos de miles de transistores interconectaos, por centímetru cuadráu y en delles capes superpuestes.

== Tipos de transistor ==
[[Ficheru:Transistor-photo.JPG|thumb|250px|Distintos encapsulados de transistores.]]
=== Transistor de contautu puntual ===
Llamáu tamién «transistor de punta de contautu», foi'l primer transistor capaz de llograr ganancia, inventáu en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta d'una base de [[xermaniu]], semiconductor aquel día meyor conocíu que la combinación [[cobre]]-[[óxidu de cobre (I)|óxidu de cobre]], sobre la que se sofiten, bien xuntes, dos puntes metáliques que constitúin l'emisor y el colector. La corriente de base ye capaz de modular la resistencia que se ve» nel colector, d'ende'l nome de ''transfer resistor''. Basar n'efeutos de superficie, pocu conocíos nel so día. Ye malo de fabricar (les puntes afaíense a mano), fráxil (un golpe podía mover les puntes) y ruidosu. Sicasí convivió col transistor d'unión (W. Shockley, 1948) por cuenta del so mayor anchu de banda. Na actualidá sumió.

=== Transistor d'unión bipolar ===
{{AP|Transistor d'unión bipolar}}
[[Ficheru:Diagrama de Transistor NPN.svg|thumb|Diagrama de Transistor NPN]]
El transistor d'unión bipolar (o BJT, poles sos sigles del inglés ''bipolar junction transistor'') fabrícase sobre un monocristal de material [[semiconductor]] como'l xermaniu, el siliciu o'l [[arseniuro de galio]], que les sos cualidaes son entemedies ente les d'un [[conductor llétricu]] y les d'un aislante. Sobre'l sustratu de cristal contaminar en forma bien controlada tres zones socesives, N-P-N o P-N-P, dando llugar a dos [[unión PN|uniones PN]].

Les zones N (nes qu'abonden portadores de carga '''N'''egativa) llógrense contaminando'l sustratu con átomos d'elementos ''donantes'' d'[[Electrón|electrones]], como'l [[arsénicu]] o'l [[fósforu]]; ente que les zones P (onde se xeneren portadores de carga '''P'''ositiva o «buecos») llógrense contaminando con átomos ''aceptadores'' d'electrones, como'l [[Indiu (elementu)|indiu]], el [[aluminiu]] o'l [[galio]].

El trés zones contaminaes, dan como resultáu transistores PNP o NPN, onde la lletra entemedia siempres correspuende a la rexón de la base, y les otres dos al emisor y al colector que, magar son del mesmu tipu y de signu contrariu a la base, tienen distinta contaminación ente elles (polo xeneral, l'emisor ta muncho más contamináu que'l colector).

El mecanismu que representa'l comportamientu semiconductor va depender de diches contaminaciones, de la xeometría acomuñada y del tipu de teunoloxía de contaminación (espardimientu gaseosu, epitaxial, etc.) y del comportamientu cuánticu de la unión.

=== Transistor d'efeutu de campu ===
El transistor d'efeutu de campu d'unión (JFET), foi'l primer transistor d'efeutu de campu na práutica. Formar una barra de material semiconductor de siliciu de tipu N o P. Nos terminales de la barra establez un contautu óhmico, tenemos asina un transistor d'efeutu de campu tipu N de la forma más básica. Si espublícense dos rexones P nuna barra de material N y conéctense externamente ente sigo, va producise una puerta. A unu d'estos contactos llamarémos-y surtidor y al otru drenador. Aplicando [[Tensión (electricidá)|tensión]] positiva ente'l drenador y el surtidor y coneutando la puerta al surtidor, vamos establecer una corriente, a la que vamos llamar corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial negativu de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción na canal.

El [[transistor d'efeutu campu|transistor d'efeutu de campu]], o FET poles sos sigles n'inglés, que controla la corriente en función d'una tensión; tienen alta [[impedancia]] d'entrada.
* Transistor d'efeutu de campu d'unión, [[JFET]], construyíu por aciu una unión PN.
* Transistor d'efeutu de campu de compuerta aisllada, IGFET, nel que la compuerta aisllar de la canal por aciu un [[dieléctricu]].
* Transistor d'efeutu de campu MOS, [[MOSFET]], onde ''MOS'' significa Metal-Óxidu-Semiconductor, nesti casu la compuerta ye metálica y ta dixebrada de la canal semiconductor por una capa d'[[óxidu]].

=== Fototransistor ===
{{AP|Fototransistor}}
Los fototransistores son sensibles a la [[radiación electromagnético]] en frecuencies cercanes a la de la [[lluz]] visible; por cuenta de esto'l so fluxu de corriente puede ser reguláu per mediu de la lluz incidente. Un fototransistor ye, n'esencia, lo mesmo qu'un transistor normal, namái que puede trabayar de 2 maneres distintes:
* Como un transistor normal cola corriente de base (IB) (manera común);
* Como fototransistor, cuando la lluz qu'incide nesti elementu fai les vegaes de corriente de base. (IP) (manera de llume).

== Transistores y electrónica de potencia ==
Col desenvolvimientu teunolóxicu y evolución de la [[electrónica]], la capacidá de los dispositivos semiconductores pa soportar cada vegada mayores niveles de tensión y corriente dexó'l so usu n'aplicaciones de potencia. Ye según anguaño los transistores son emplegaos en [[conversión de potencia|conversores]] estáticos de potencia, controles pa motores y llaves d'alta potencia (principalmente inversores), anque'l so principal usu ta basáu na amplificación de corriente dientro d'un circuitu zarráu.

{{Traducción|inglés|en|Transistor}}

==Construcción==
===Material semiconductor===

{|{{tablaguapa}} style="float:right; margin:10px;"
|+Carauterístiques del material semiconductor
!Material <br> semiconductor
!Tensión direuto <br> de la unión <br> V @ 25&nbsp;°C
!Movilidá d'electrones <br> m²/(V·s) @ 25&nbsp;°C
!Movilidá de furacos <br> m²/(V·s) @ 25&nbsp;°C
!Máxima<br>temperatura de xunión <br>°C
|-
!Ge
|0.27||0.39||0.19||70 a 100
|-
!Si
|0.71||0.14|| 0.05||150 a 200
|-
!GaAs
|1.03||0.85||0.05||150 a 200
|-
!Al-Si
|0.3||—||—||150 a 200
|}

Los primeres BJT facer a partir de xermaniu (Gue). Siliciu (Si) los tipos anguaño predominen pero ciertes versiones de microondes avanzáu y d'altu rendimientu agora empleguen el semiconductor compuestu de arseniuro de galio de material (GaAs) y el siliciu-germanio aleación de semiconductores (SiGe). Individual material del elementu semiconductor (Gue y Si) descríbese como elemental.

<!--The first BJTs were made from [[germanium]] (Gue). [[Silicon]] (Si) types currently predominate but certain advanced microwave and high-performance versions now employ the ''compound semiconductor'' material [[gallium arsenide]] (GaAs) and the ''semiconductor alloy'' [[silicon germanium]] (SiGe). Single element semiconductor material (Gue and Si) is described as ''elemental''.

Rough parameters for the most common semiconductor materials used to make transistors are given in the table to the right; these parameters will vary with increase in temperature, electric field, impurity level, strain, and sundry other factors.

The ''junction forward voltage'' is the voltage applied to the emitter–base junction of a BJT in order to make the base conduct a specified current. The current increases exponentially as the junction forward voltage is increased. The values given in the table are typical for a current of 1 mA (the same values apply to semiconductor diodes). The lower the junction forward voltage the better, as this means that less power is required to "drive" the transistor. The junction forward voltage for a given current decreases with increase in temperature. For a typical silicon junction the change is −2.1 mV/°C.<ref name=Sedra>
{{cita book|author=A.S. Sedra and K.C. Smith|títulu=Microelectronic circuits|añu=2004|pages=397 and Figure 5.17|publisher=Oxford University Press|edition=Fifth|location=New York|isbn=0-19-514251-9}}</ref> In some circuits special compensating elements ([[sensistor]]s) must be used to compensate for such changes.

The density of mobile carriers in the channel of a MOSFET is a function of the electric field forming the channel and of various other phenomena such as the impurity level in the channel. Some impurities, called dopants, are introduced deliberately in making a MOSFET, to control the MOSFET electrical behavior.

The ''[[electron mobility]]'' and ''[[hole mobility]]'' columns show the average speed that electrons and holes diffuse through the semiconductor material with an [[electric field]] of 1 volt per meter applied across the material. In general, the higher the electron mobility the faster the transistor can operate. The table indicates that Gue is a better material than Si in this respect. However, Gue has four major shortcomings compared to silicon and gallium arsenide:
* Its maximum temperature is limited;
* it has relatively high [[Reverse leakage current|leakage current]];
* it cannot withstand high voltages;
* it is less suitable for fabricating integrated circuits.
Because the electron mobility is higher than the hole mobility for all semiconductor materials, a given bipolar [[n–p–n transistor]] tends to be swifter than an equivalent [[p–n–p transistor]]. GaAs has the highest electron mobility of the three semiconductors. It is for this reason that GaAs is used in high-frequency applications. A relatively recent FET development, the ''high-electron-mobility transistor'' ([[HEMT]]), has a [[heterojunction|heterostructure]] (junction between different semiconductor materials) of aluminium gallium arsenide (AlGaAs)-gallium arsenide (GaAs) which has twice the electron mobility of a GaAs-metal barrier junction. Because of their high speed and low noise, HEMTs are used in satellite receivers working at frequencies around 12&nbsp;GHz. HEMTs based on gallium nitride and aluminium gallium nitride (AlGaN/GaN HEMTs) provide a still higher electron mobility and are being developed for various applications.

'''Max. junction temperature''' values represent a cross section taken from various manufacturers' data sheets. This temperature should not be exceeded or the transistor may be damaged.

'''Al Si junction''' refers to the high-speed (aluminum–silicon) metal–semiconductor barrier diode, commonly known as a [[Schottky diode]]. This is included in the table because some silicon power IGFETs have a ''[[parasitic structure|parasitic]]'' reverse Schottky diode formed between the source and drain as part of the fabrication process. This diode can be a nuisance, but sometimes it is used in the circuit.

===Packaging===
{{See also|Semiconductor package|Chip carrier}}
[[Ficheru:Transbauformen.jpg|thumb|Assorted discrete transistors]]

'''Discrete transistors''' are individually packaged transistors. Transistors come in many different [[semiconductor packages]] (see image). The two main categories are ''[[through-hole technology|through-hole]]'' (or ''leaded''), and ''surface-mount'', also known as ''surface-mount device'' ([[surface-mount technology|SMD]]). The ''ball grid array'' ([[Ball grid array|BGA]]) is the latest surface-mount package (currently only for large integrated circuits). It has solder "balls" on the underside in place of leads. Because they are smaller and have shorter interconnections, SMDs have better high-frequency characteristics but lower power rating.

Transistor packages are made of glass, metal, ceramic, or plastic. The package often dictates the power rating and frequency characteristics. Power transistors have larger packages that can be clamped to [[heat sink]]s for enhanced cooling. Additionally, most power transistors have the collector or drain physically connected to the metal enclosure. At the other estreme, some surface-mount ''microwave'' transistors are as small as grains of sand.

Often a given transistor type is available in several packages. Transistor packages are mainly standardized, but the assignment of a transistor's functions to the terminals is not: other transistor types can assign other functions to the package's terminals. Even for the same transistor type the terminal assignment can vary (normally indicated by a suffix letter to the part number, q.y. BC212L and BC212K).

Nowadays most transistors come in a wide range of SMT packages, in comparison the list of available through-hole packages is relatively small, here is a short list of the most common through-hole transistors packages in alphabetical order:
ATV, Y-line, MRT, HRT, SC-43, SC-72, TO-3, TO-18, TO-39, TO-92, TO-126, TO220, TO247, TO251, TO262, ZTX851

====Flexible transistors====
Researchers have made several kinds of flexible transistors, including [[organic field-effect transistor]]s.<ref>
Jhonathan P. Rojas, Galu A. Torres Sevilla, and Muhammad M. Hussain.
[http://www.nature.com/srep/2013/130910/srep02609/full/srep02609.html?WT.ec_id=SREP-639-20131001 "Can We Build a Truly High Performance Computer Which is Flexible and Transparent?"].
</ref><ref>
Kan Zhang, Jung-Hun Seo1, Weidong Zhou and Zhenqiang Ma.
[http://iopscience.iop.org/0022-3727/45/14/143001/article "Fast flexible electronics using transferrable silicon nanomembranes"].
2012.
</ref><ref>
Lisa Zyga.
[http://phys.org/news/2011-02-carbon-nanotube-transistors-inexpensive-flexible.html "Carbon nanotube transistors could lead to inexpensive, flexible electronics"].
2011.
</ref> Flexible transistors are useful in some kinds of [[flexible display]]s and other [[flexible electronics]].-->

== El transistor bipolar como amplificador ==
El comportamientu del transistor puede vese como dos diodos ([[Transistor d'unión bipolar|Modelu de Ebers-Moll]]), unu ente base y emisor, polarizáu en direutu y otru diodu ente base y colector, polarizáu n'inversu. Esto quier dicir qu'ente base y emisor vamos tener una tensión igual a la tensión direuto d'un diodu, ye dicir 0,6 a 0,8 [[Voltiu|V]] pa un transistor de siliciu y unos 0,4 pal xermaniu.

Lo interesante del dispositivu ye que nel colector vamos tener una corriente proporcional a la corriente de base:
I<sub>C</sub> = β I<sub>B</sub>, esto ye, ganancia de corriente cuando β>1. Pa transistores normales de señal, β varia ente 100 y 300.

Entós, esisten tres configuraciones pal amplificador:

=== Emisor común ===
[[Ficheru:NPN common emitter.svg|thumb|100px|Emisor común.]]
La señal aplicar a la base del transistor y estrayer pol colector. L'emisor coneutar a les mases tantu de la señal d'entrada como a la de salida. Nesta configuración tiense ganancia tanto de tensión como de corriente.
En casu de tener resistencia d'emisor, R<sub>Y</sub> > 50 Ω, y pa frecuencies baxes, la ganancia en tensión avérase abondo bien pola siguiente espresión:
<math>G_V = -\frac {R_C}{R_Y}</math> ; y la impedancia de salida, por R<sub>C</sub>

Como la base ta coneutada al emisor por un diodu en direutu, ente ellos podemos suponer una tensión constante, V<sub>g</sub>. Tamién vamos suponer que β ye constante. Entós tenemos que la tensión d'emisor ye: <math>V_Y = V_B - V_g</math>

Y la corriente d'emisor: <math>I_Y = \frac {V_Y}{R_Y} = \frac {V_B - V_g}{R_Y}</math>.

La corriente d'emisor ye igual a la de colector más la de base: <math>I_Y = I_C + I_B = I_B (\beta + 1) = I_C (1 + \frac {1}{\beta})</math>. Estenando <math>I_C = \frac {I_Y}{1 + \frac {1}{\beta}}</math>

La tensión de salida, que ye la de colector calcúlase como: <math>V_C = Vcc - I_C R_C = Vcc - R_C \frac {I_Y}{1 + \frac {1}{\beta}}</math>

Como β >> 1, puede averase: <math>1 + \frac {1}{\beta} = 1</math> y, entós, <math>V_C = Vcc - R_C I_Y = Vcc - R_C \frac {V_B - V_g}{R_Y}</math>

Que podemos escribir como <math>V_C = (Vcc + R_C \frac {V_g}{R_Y})- R_C \frac {V_B}{R_Y}</math>

Vemos que la parte <math>(Vcc + R_C \frac {V_g}{R_Y})</math> ye constante (nun depende de la señal d'entrada), y la parte <math>- V_B \frac {R_C}{R_Y}</math> danos la señal de salida. El signu negativu indica que la señal de salida ta desfasada 180° al respective de la d'entrada.

Finalmente, la ganancia queda: <math>G_V =\frac {V_C}{V_B} =- \frac {R_C}{R_Y}</math>

La corriente d'entrada, <math>I_B = \frac {I_Y}{1+\beta}</math>, qu'averamos por <math>I_B = \frac {I_Y}{\beta}=\frac {V_Y}{R_Y \beta}=\frac {V_B - V_g}{R_Y \beta}</math>.

Suponiendo que V<sub>B</sub>>>V<sub>g</sub>, podemos escribir:<math>I_B = \frac {V_B}{R_Y \beta}</math>

y la impedancia d'entrada: <math>Z_{in} = \frac {V_B}{I_B}=\frac {V_B}{\frac {V_B}{R_Y \beta}}=R_Y \beta</math>

Pa tener en cuenta la influencia de frecuencia tienen d'utilizase modelos de transistor más ellaboraos. Ye bien frecuente usar el modelu en pi.

=== Base común ===
[[Ficheru:NPN common base.svg|thumb|100px|Base común.]]
La señal aplicar al emisor del transistor y estrayer pol colector. La base coneutar a les mases tantu de la señal d'entrada como a la de salida. Nesta configuración tiense ganancia namái de tensión. La impedancia d'entrada ye baxa y la ganancia de corriente daqué menor qu'unu, por cuenta de que parte de la corriente d'emisor sale pola base. Si añadimos una resistencia d'emisor, que puede ser la mesma impedancia de salida de la fonte de señal, un analís similar al realizáu nel casu d'emisor común, danos la ganancia averada siguiente: <math>G_V=\frac {R_C}{R_Y}</math>.

La base común suelse utilizar p'afaer fontes de señal de baxa impedancia de salida como, por casu, micrófonos dinámicos.

=== Colector común ===
[[Ficheru:Common collector.png|thumb|200px|Colector común.]]
La señal aplicar a la base del transistor y estrayer pol emisor. El colector coneutar a les mases tantu de la señal d'entrada como a la de salida. Nesta configuración tiense ganancia de corriente, pero non de tensión que ye llixeramente inferior a la unidá. La impedancia d'entrada ye alta, aproximao β+1 vegaes la impedancia de carga. Amás, la impedancia de salida ye baxa, aproximao β vegaes menor que la de la fonte de señal.

== El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica ==
Antes de l'apaición del transistor los inxenieros utilizaben elementos activos llamaos válvules termoiónicas. Les válvules tienen carauterístiques llétriques similares a la de los [[Transistor d'efeutu campu|transistores d'efeutu campu]] (FET): la corriente que los traviesa depende de la tensión nel borne de comandu, llamáu rejilla. Les razones poles que'l transistor reemplazó a la válvula termoiónica son delles:
* Les válvules precisen tensiones bien altes, del orde de les centenes de voltios, que son peligroses pal ser humanu. 
* Les válvules peracaben muncha enerxía, lo que les vuelve particularmente pocu preseos pal usu con bateríes.
* Probablemente, unu de los problemes más importantes fuera'l pesu. El [[xasis]] necesariu p'agospiar les válvules y el tresformadores riquíos pal so funcionamientu sumaben un pesu importante, que diba dende dellos quilos a decenes de quilos.
* El tiempu mediu ente falles de les válvules termoiónicas ye bien curtiu comparáu col de los transistores, sobremanera pola mor del calor xeneráu.
* Les válvules presenten una cierta demoranza n'empezar a funcionar, yá que precisen tar calientes pa establecer la conducción.
* El transistor ye intrínsecamente insensible al [[efeutu microfónico]], bien frecuente nes válvules.
* Los transistores son más pequeños que les válvules, inclusive que los [[nuvistor]]es. Anque esiste unanimidá sobre esti puntu, convien faer una salvedá: nel casu de dispositivos de potencia, estos tienen de llevar un disipador, de cuenta que'l tamañu que s'hai de considerar ye'l del dispositivu (válvula o transistor) más el del disipador. Como les válvules pueden funcionar a temperatures más elevaes, la eficiencia del disipador ye mayor nelles que nos transistores, colo que basta un disipador muncho más pequeñu.
* Los transistores trabayen con impedancias baxes, esto ye con tensiones amenorgaes y corrientes altes; ente que les válvules presenten impedancias elevaes y polo tanto trabayen con altes tensiones y pequeñes corrientes.
* Finalmente, el costu de los transistores non solamente yera bien inferior, sinón que cuntaba cola promesa de que siguiría baxando (como de fechu asocedió) con abonda investigación y desenvolvimientu.
Como exemplu de toos estos inconvenientes puede citase al primer ordenador dixital, llamada [[ENIAC]]. Yera un equipu que pesaba más de trenta tonelaes y consumía 200 quilovatios, suficientes p'alimentar una pequeña ciudá. Tenía alredor de 18&nbsp;000 válvules, de les cualos dalgunes quemar acaldía, precisando una loxística y una organización importantes.
 
Cuando'l transistor bipolar foi inventáu en 1947, foi consideráu una revolución. Pequeñu, rápido, fiable, poco costosu, sobriu nes sos necesidaes d'enerxía, reemplazó progresivamente a la válvula termoiónica mientres la década de 1950, pero non del tou. N'efeutu, mientres los [[años 1960]], dellos fabricantes siguieron utilizando válvules termoiónicas n'equipos de radiu de gama alta, como Collins y Drake; depués el transistor movió a la válvula de los tresmisores pero non del tou de los amplificadores de radiofrecuencia. Otros fabricantes, d'equipu d'audiu esta vegada, como Fender, siguieron utilizando válvules n'amplificadores d'audiu pa guitarres. Les razones de la sobrevivencia de les válvules termoiónicas son delles:
* El transistor nun tien les carauterístiques de linealidad a alta potencia de la válvula termoiónica, polo que nun pudo reemplazala nos amplificadores de tresmisión de radio profesionales y de radioaficionaos sinón hasta dellos años dempués.{{ensin referencies}}
* Los harmónicos introducíos pola non linealidad de les válvules resulten prestoses al escuchu humanu (vease [[psicoacústica]]), polo que son preferíos polos audiófilos.
* El transistor ye bien sensible a los efeutos electromagnéticos de les esplosiones nucleares, polo que se siguieron utilizando válvules termoiónicas en dellos sistemes de control-comandu d'aviones caza de fabricación soviética.{{ensin referencies}}
* Les válvules son capaces de remanar potencies bien grandes, impensables pa los transistores nos sos empiezos; sicasí al traviés de los años desenvolviéronse etapes de potencia con múltiples transistores [[circuitu en paralelu|en paralelu]] capaces de consiguilo.
{{VT|Válvula termoiónica|Transistor bipolar}}

== Cultura popular ==
Cuestionóse l'orixe del transistor, por ser una parte esencial pa la creación de cualquier artefautu teunolóxicu. Ello ye que na cultura popular, créese que s'utilizó [[Inxeniería inversa]] en teunoloxía alienígena pa llograr desenvolvelo<ref>{{Cita web|url = http://nuestropasadoextraterrestre.blogspot.cl/2008/09/tecnologa-estraterrestre-o-inxeniera.html|títulu = Teunoloxía Estraterrestre o Inxeniería Inversa|autor = |enllaceautor = |fecha = |idioma = |editorial = |fechaaccesu = 10 d'ochobre de 2015|sitiuweb = }}</ref>. El [[Incidente ovni de Roswell]] causó conmoción nos años 40, y popularmente, créese que los llaboratorios [[AT&T]] utilizaron restos de naves estraterrestres pa desenvolver un aparatu como'l transistor<ref>{{Cita web|url = http://mysteryplanet.com.ar/site/?p=3182|títulu = ¿Consumimos teunoloxía alienígena?|autor = |enllaceautor = |fecha = |idioma = |editorial = |fechaaccesu = 10 d'ochobre del 2015|sitiuweb = }}</ref>.

== Ver tamién ==
* [[Semiconductor]]
* [[Transistor d'aleación]]
* [[Transistor d'unión bipolar]]
* [[Transistor IGBT]]
* ''[[Thin-filme transistor]]''
* [[Transistor uniunión]]
* [[Historia del transistor]]
* [[Quiteron]]

== Referencies ==
{{llistaref}}

== Enllaces esternos ==
{{commonscat|Transistors}}
* [http://hifi.suite101.net/article.cfm/amplificadores-transistorizados-vs-amplificadores-valvulares/ Transistores Vs. Válvules p'aplicaciones n'audiu d'alta fidelidá] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20100916183616/http://hifi.suite101.net/article.cfm/amplificadores-transistorizados-vs-amplificadores-valvulares |date=2010-09-16 }}, Oscar Bonello, fundador de la compañía Solidyne y miembru d'Audiu Engineering Society (AES), propón una interpretación posible sobre la rivalidá ente entusiastes d'una o otra teunoloxía.
* {{Enllaz rotu|1=Como funcionen realmente los transistores |2=http://otro-geek-mas.blogspot.com/2008/08/como-funcionen-realmente-los.html |date=August 2024 |bot=InternetArchiveBot }} [http://www.amasci.com/amateur/transis.html Versión orixinal n'Inglés]
* [http://www.simbologia-electronica.com/simbolos_electronicos/simbolos_transistores.htm Símbolos de transistores]





{{Tradubot|Transistor}}

{{control d'autoridaes}}
[[Categoría:Transistores| ]]
[[Categoría:Dispositivos semiconductores]]
[[Categoría:1947]]